SK하이닉스, TSMC 포럼 첫 데뷔…엔비디아 H200·HBM3E 나란히

SK하이닉스, TSMC 포럼 첫 데뷔…엔비디아 H200·HBM3E 나란히 …

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SK하이닉스가 세계 최대 파운드리 업체인 대만 TSMC가 주최한 글로벌 반도체 행사에 처음으로 참여해 엔비디아와의 협업 성과를 선보였다.


SK하이닉스는 25일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 열린 'TSMC 오픈 이노베이션 플랫폼(OIP) 포럼 2024'에 서 회사 HBM3E와 엔비디아 H200 칩셋 보드를 나란히 전시했다.
이 칩셋 제조사는 이 행사를 주최한 TSMC로, 고객사-파운드리-메모리 기업의 삼각 협력 관계를 과시한 것이다.


이 포럼은 TSMC가 반도체 생태계 내 주요 기업들과의 기술 개발과 협업을 위해 개최하는 행사다.
세계 각국 주요 반도체 기업들이 참가해 신제품과 기술을 선보이는 자리다.


SK하이닉스는 행사에서 'MEMORY, THE POWER OF AI'를 주제로 부스를 열고 ▲HBM3E ▲DDR5 RDIMM ▲DDR5 MCRDIMM 등 다양한 AI 메모리 솔루션을 소개했다.
HBM3E는 36GB(기가바이트) 용량과 초당 1.2TB(테라바이트) 속도로, AI 연산 속도와 효율성을 대폭 향상할 수 있는 제품이다.


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이 외에도 SK하이닉스는 10나노급 6세대(1c) 공정 기반의 DDR5 RDIMM을 세계 최초로 공개하며 차세대 데이터센터용 메모리 솔루션 비전을 제시했다.
해당 제품은 전 세대 대비 속도가 11% 빨라졌으며 전력 효율도 9% 이상 개선돼 데이터센터의 전력 비용을 최대 30%까지 절감할 수 있을 것으로 기대된다.


SK하이닉스는 OIP 포럼 부대행사인 'OIP 파트너 테크니컬 토크'에도 참여했다.
이병도 SK하이닉스 HBM 패키지 TE 소속 기술리더(TL)가 'HBM 품질 및 신뢰성 향상을 위한 2.5D 패키징 공동 연구' 결과를 발표하며 TSMC와의 기술 협력을 강조했다.
이 TL은 "TSMC 베이스 다이(Base Die)를 활용해 HBM4의 성능과 효율을 높일 것"이라며 "어드밴스드 MR-MUF와 하이브리드 본딩 기반 HBM4 16단 제품을 개발해 시장의 고집적(High Density) 요구를 충족할 것"이라고 했다.


SK하이닉스는 이번 행사를 "AI 시장에서의 기술 우위 및 파운드리와의 견고한 파트너십을 다시 한번 확인한 자리"라고 평가했다.
SK하이닉스 측은 "앞으로도 OIP 구성원과 꾸준히 협업하고 TSMC와의 협력을 지속해 전략적 관계를 강화해 나갈 방침"이라고 했다.



최서윤 기자 [email protected]
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