삼성전자는 인공지능(AI) 시대 초고용량 서버 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 위한 ‘1테라비트(Tb) 쿼드레벨셀(QLC) 9세대 V낸드’를 업계 최초로 양산했다고 12일 밝혔다.
삼성전자는 지난 4월 트리플레벨셀(TLC) 9세대 V낸드를 처음 양산한 데 이어 이번에 QLC 제품을 선보이며 낸드플래시 시장 리더십을 굳건히 한다는 계획이다.
 | | 삼성전자가 업계 최초로 양산에 성공한 ‘1테라비트(Tb) 쿼드레벨셀(QLC) 9세대 V낸드’. 삼성전자 제공 |
TLC는 하나의 셀에 3비트(bit) 데이터를 기록할 수 있고, QLC는 4bit 데이터를 기록할 수 있는 구조다.
삼성전자는 독보적인 ‘채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)’ 기술을 활용해 더블 스택(Double Stack) 구조로 업계 최고 단수를 구현해냈다고 강조했다.
채널 홀 에칭은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 홀을 만드는 기술이고, 더블 스택은 이 채널 홀 공정을 두 번 진행해 만든 구조를 말한다.
QLC 9세대 V낸드는 셀(Cell)과 셀의 동작을 관장하는 각종 회로들로 구성된 페리(Peripheral)의 면적을 최소화해 이전 세대 대비 비트 밀도가 약 86% 증가했다고 삼성전자는 설명했다.
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