SK하이닉스, 고성능 SSD 'PEB110 E1.S' 개발…성능 2배·전력 효율 30%↑

SK하이닉스, 고성능 SSD 'PEB110 E1.S' 개발…성능 2배·전력 효율 30%↑

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고객 인증 거쳐 내년 2분기 양산

SK하이닉스가 데이터센터용 고성능 SSD
SK하이닉스가 데이터센터용 고성능 SSD 'PEB110 E1.S'를 개발했다. /더팩트 DB

[더팩트ㅣ장병문 기자] SK하이닉스가 데이터센터용 고성능 SSD(Solid State Drive) 'PEB110 E1.S'(이하 PEB110)를 개발했다고 11일 밝혔다.

SK하이닉스는 "AI 시대가 본격화되면서 HBM과 같은 초고속 D램은 물론, 고성능 낸드 솔루션 제품인 데이터센터용 SSD에 대한 고객 수요도 커지고 있다"며 "이런 흐름에 맞춰 당사는 PCIe 5세대(Gen5) 규격을 적용, 데이터 처리 속도와 전력 효율을 획기적으로 개선한 신제품을 개발해 시장에 선보이게 됐다"고 말했다.

PCIe(Peripheral Component Interconnect express)는 디지털 기기의 메인보드에서 사용하는 직렬 구조의 고속 입출력 인터페이스다.

앞서 SK하이닉스는 초고성능·고용량 데이터센터/서버향 SSD 제품 PS1010을 개발하고 양산 중이다. PEB110 개발을 통해 한층 탄탄해진 SSD 포트폴리오를 구축했다.

SK하이닉스는 현재 글로벌 데이터센터 고객사와 함께 PEB110에 대한 인증 작업을 진행 중이며, 인증이 마무리되는 대로 내년 2분기부터 제품 양산을 시작해 시장에 공급할 계획이다.

SK하이닉스는 PEB110에 대한 인증 작업을 진행 중이며, 내년 2분기부터 제품 양산을 시작할 계획이다. /SK하이닉스
SK하이닉스는 PEB110에 대한 인증 작업을 진행 중이며, 내년 2분기부터 제품 양산을 시작할 계획이다. /SK하이닉스
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